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Se ha demostrado que la memoria de cambio de fase supera a las SSD

En un mundo donde los aviones vuelan constantemente más lejos y más rápido y donde las partículas pueden acelerarse casi a la velocidad de la luz, no sorprende que un nuevo tipo de almacenamiento de datos haya demostrado ser más rápido que cualquier otro en el mercado. Los científicos de UC San Diego realizaron un experimento que demostró que la memoria de cambio de fase puede vencer a algunas de las mejores memorias flash disponibles en el mercado. Estaban usando un prototipo de módulo de cambio de fase llamado Onyx fabricado por Micron.

Por supuesto, esto era solo cuando se escribían pequeños bits de datos a la vez. Al hacerlo, la memoria pudo alcanzar velocidades entre un 70 y un 120 por ciento más rápidas que su contraparte flash. Al escribir grandes cantidades de datos, la unidad era más lenta que la memoria flash. No obstante, la memoria de cambio de fase fue más rápida en la lectura de datos de cualquier tamaño y colocó una carga significativamente menor en la CPU cuando se usó. La memoria de cambio de fase también tiene el beneficio adicional de poder escribir bajo demanda sin tener que mantener tablas o registros como lo hace la memoria flash.

Además del aumento de las velocidades, la parte más fascinante de la memoria de cambio de fase es cómo funciona. Estos chips funcionan almacenando datos en una aleación de metal llamada calcogenuro. Para escribir en la memoria, pequeñas ráfagas de calor cambian secciones del material entre su estado cristalino o una disposición amorfa que representa un 0 o un 1. Estos 0 y 1 luego son traducidos por la CPU a un archivo digital.

En términos prácticos, este aumento en los tiempos de lectura significa que las unidades RAID y las unidades internas que usan este tipo de memoria deberían ayudar a los editores a ahorrar tiempo al editar y renderizar, especialmente en una era de archivos de video HD de gran tamaño. Además, se ha demostrado que esta memoria tiene una vida útil promedio de 100 millones de ciclos de escritura en comparación con los míseros 100 000 de la memoria flash NAND, lo que significa que estas unidades pueden durar lo suficiente como para parecer bastante lentas.


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